技术编号:17319471
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,特别是指基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构。背景技术高质量单晶氮化物薄膜对光电器件以及电子电力器件的应用至关重要。传统衬底,包括硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底,因其与氮化物材料晶格失配较小,可生长出高质量的氮化物薄膜。不过传统衬底尺寸较小,在大规模制造应用中受限。对于非晶衬底金属及合金、非晶态玻璃、非晶态塑料具有大面积、低成本的特性,是一种理想的衬底材料。尽管具有较大的应用潜力,非晶衬底与氮化物之间没有晶格匹配,氮化物材料在非晶衬底上生长因缺乏整体外延而受阻...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。