技术编号:17319547
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造技术领域,特别涉及一种自对准双层图形的形成方法。背景技术浸入式光刻机的极限曝光的最小特征尺寸即关键尺寸(Critical Dimension,简称CD)理论最低能做到38nm,当所需制造的半导体器件的关键尺寸小于浸入式光刻机的极限曝光的关键尺寸时,就需要用到自对准双层图形(Self-Aligned Double Patterning,SADP)工艺。研究发现,通过现有的自对准双层图形工艺形成的自对准双层图形本身形貌不稳定,自对准双层图形的关键尺寸出现大小难以控制的问题。发明...
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