技术编号：17321664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种具有低导通压降，低驱动功耗和高短路安全工作区的快速关断特性的IGBT器件。背景技术IGBT折中了BJT的低导通压降和MOSFET快速开关的特点，因而被广泛应用于电力电子系统。根据IGBT栅的结构，可以将IGBT分为槽栅和平面栅两类；平面栅具有较低的栅驱动损耗，并且饱和电流密度较低，短路安全工作区较大，但是由于存在JEFT区，其导通压降较大；槽栅则消除了JEFT区，从而其导通压降较小，但是由于沟道密度较大，其栅驱动损耗较大，饱和电流密度较高，从而短路安全工作区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。