一种基于氮化镓增强型HEMT器件低电阻欧姆接触的结构及其制作方法与流程技术资料下载

技术编号:17321702

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本发明属于微电子技术领域,具体而言是一种基于增强型氮化镓HEMT结构的低欧姆接触电阻及其制作方法,制备的器件可用于高压大功率应用场合。背景技术第三代半导体材料即宽禁带(Wide Band Gap Semiconductor,简称WBGS)半导体材料是继第一代硅、锗和第二代砷化镓、磷化铟等以后发展起来。在第三代半导体材料中,氮化镓(GaN)具有宽带隙、直接带隙、高击穿电场、较低的介电常数、高电子饱和漂移速度、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,成为继锗、硅、砷化镓之后制造新一代微电子器件和电...
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