技术编号:17347403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体生长技术领域,特别是涉及一种晶体生长的加热装置及生长装置。〖背景技术〗磷化铟是极具战略性的重要半导体材料之一,在光通信、毫米波高频、低噪声、宽带微电子集成等领域具有重要的应用。随着InP材料被广泛应用在固态发光、微波通信、光纤通信、微波、毫米波器件、抗辐射太阳能电池等高技术领域。InP单晶已成为一种重要的光电子和微电子基础材料,用于制造光纤通信用的激光器、探测器、网络光通信用的集成电路以及高频微波器件。随着InP基器件的广泛应用,磷化铟单晶制备工艺就显得尤为重要,现在普遍使用的磷化...
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