技术编号：17379933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米硅粉制备技术领域，具体涉及一种高纯硅烷CVD法连续制备纳米硅粉的工业化方法。背景技术在纳米材料技术领域，纳米硅粉在陶瓷材料、复合材料、催化材料、光电池以及生物材料等领域都具有巨大的潜在应用前景。随着新能源电动汽车长续航、快速充电的要求提出，发展新型高比容量、长循环寿命的负极材料体系已经成为锂离子电池研究领域的核心任务。在众多新型负极材料中，硅材料具有极高的理论比容量（4200mAh/g）和丰富的地壳储量，是下一代锂离子电池理想的负极材料。经有关部门的初步测试，用高纯度纳米硅粉制备的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。