技术编号:17389599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域,特别是涉及一种半导体结构。背景技术随着半导体制造技术微缩,随之而来的是半导体制程线宽越来越细,导致栅极通道越来越短,栅极通道过短会影响金属氧化物半导体晶体管(MOS晶体管)的性能,这种由栅极通道缩短而影响器件性能的效应被称为短沟道效应。由于造成短沟道效应的主要原因来自于字线的线宽越来越短,而字线一般由栅线来形成,因此改善短沟道效应的主要方式是增加栅极通道的长度,例如埋入式栅极就是一种改善短沟道效应的结构。现有的埋入式栅极为沟槽式通道。图1显示为现有技术中...
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