技术编号:17433476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于高分子半导体材料技术领域,具体涉及一种g-C3N4@g-C4N3(类石墨氮化合物g-C3N4和g-C4N3)碳复合光催化剂及其制备方法。背景技术近年来,随着对有机半导体材料研究的不断深入,一种高分子聚合物半导体材料—类石墨氮化碳(g-C3N4)引起了人们的广泛关注。与经典的无机氧化物半导体光催化剂TiO2、ZnO相比,g-C3N4具有较好的可见光响应(带隙较窄Eg=2.70eV)、化学性质稳定、廉价易制等优点,更重要的是其合适的能带结构,尤其是较高的导带位置以及其独特的二维片层结构,使...
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