技术编号：17472638
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法，属于膜材料制备科学技术领域。背景技术随着工业生产技术的发展，水污染问题日益严峻。含钴离子废水的排放是造成水污染的一个重要来源之一。去除钴离子常用的方法有电化学法、化学沉淀法、吸附法和膜分离法等。这些方法应用于处理含钴离子废水方面的研究十分的广泛，但这些处理方法均存在着一些不足，如工艺复杂、成本费用高、选择性差或易造成二次污染等问题。因此，需要寻找一种对钴离子具有高选择性的分离富集方法。离子印迹技术（ion imprint...
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