技术编号:17528806
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法。背景技术红外探测作为红外技术领域的一个重要应用分支,已经渗透到我们生活的多个方面,在扫描、检测、定位、预警等领域都有着极其广泛的应用。由于红外辐射(0.76~1000μm)处于人眼不见的光谱范围,必须借助于红外探测系统才能进行观察。现有技术通过上转换发光或猝灭已经实现了近红外光的探测,其主要应用在0.7~1.6微米的红外波段。而众所周知,3~5微米的中远红外波段才是重要的大气窗口,也是军用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。