技术编号：17545045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超级电容器电极制备技术领域，具体涉及片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法。背景技术由于一维纳米材料具有奇异的化学、物理效应，在能源领域的研究中发现其具有许多独特的性能。纳米线电极材料具有高的比容量等优点，但容量的快速衰减依然是电化学储能研究中的关键问题。近年来原位表征越来越多地应用于纳米技术中，为进一步研究电极材料容量，考虑到二维晶体材料，二维晶体材料具备着传统块体材料无法超越的天然优势。其一，二维晶体材料通常具有超过10％的弹性应变极限，比传统材料高出一个量级，也就意味...
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