技术编号：17550195
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及加速器靶材领域，具体地说涉及一种多层复合中子靶及其制备方法。背景技术聚变能是解决人类未来能源问题的主要途径之一，在聚变反应堆中，中子携带了80％的聚变能。在聚变研究的各个阶段中，均必须通过实验验证材料及设计方案的中子学性能，例如在国际热核聚变实验堆(ITER)计划中，包层材料在聚变中子环境下的辐照损伤、产氚率等研究是重点方向。强流氘氚中子源通过加速氘离子束轰击氚靶片，发生氘氚聚变反应产生14.1MeV的聚变中子，与聚变产生的中子能量相同，可真实模拟聚变堆中子环境，开展聚变堆相关实验研究...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。