技术编号:17579059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管,尤其涉及一种平面栅双极型晶体管,此外本发明还涉及该平面栅双极型晶体管的制作方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,以下简称IGBT)是一种把金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)结合起来的达灵顿结构的半导体功率器件。在现有平面栅双极型晶体管中,JFET区和表面MOS区上方共有平面(多晶硅)栅,为了确保开启时,电子电流不被夹断,需要JFET区引导电子和空穴电流导通。为了达到充分降低通...
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