技术编号:17632386
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅片的清洗技术领域,尤其涉及一种用于硅片CMP后的清洗工艺。背景技术硅片清洗是半导体器件生产工艺中最重要、最频繁的步骤。为了避免微量粒子和金属杂质对半导体器件的污染,影响器件的性能和合格率,在半导体制造工艺中需要对硅片进行反复、多次的清洗。目前现有半导体制造工艺中,为了更好地满足光刻对平坦化的高要求,化学机械抛光工艺,即CMP已广泛应用在深亚微米技术中(<0.25um)。硅片在CMP技术后在硅片上残留许多的杂质,比如有机物、一些颗粒,以及SiO2等,这些杂质附着在硅片表面的酸化膜上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。