技术编号：17632704
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通信领域，尤其涉及一种功率器件的基底、功率器件、射频功率器、射频模块和基站。背景技术功率芯片由于具有高击穿电压、高功率密度、高电子迁移率、高电子饱和漂移速度等优点，在雷达、航空航天、通讯、汽车电子等军用和民用领域都具有广阔的应用前景。随着GaN功率芯片朝着更小尺寸、更高频率和更大输出功率的方向发展，降低GaN功率芯片的工作温度，降低功耗，是目前制约GaN功率芯片发展的瓶颈之一。目前，功率芯片通常是在碳化硅、硅或者蓝宝石的基底上生长有源层(亦称外延层)，并在有源层上生成电路，形成完整的芯...
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