技术编号:17680242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件。背景技术研究结果表明,传统GaN SBD性能的提高存在以下明显弊端:一方面,低功函数肖特基阳极虽然可以降低开启电压,但其反向漏电流却较大;另一方面,高功函数肖特基阳极虽然可以减小关态泄漏电流、增加反向耐压,但却显著增大了开启电压和导通损耗。同时,厚势垒架构的GaN SBD 需要通过阳极刻蚀来减薄势垒层从而达到增强栅控降低漏电的要求,但却增加了阳极金属接触面的刻蚀损伤问题。鉴于上述弊端,因此,亟需提供一种正向低损...
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