技术编号：17705440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及痕量杂质元素检测的前处理方法，尤其涉及多晶硅生产过程中间产物氯硅烷以及成品多晶硅体金属和表金属痕量杂质元素检测的前处理装置。背景技术在能源日益短缺的今天，如何开发利用新的无污染能源已成为全球共同关注的话题，光伏行业是未来清洁能源最重要的方向，作为国家战略性行业得到广泛关注。多晶硅是制造硅抛光片、太阳能电池以及高纯硅制品的主要原料，处于光伏产业链顶端。它是以高纯三氯氢硅作为原料来源，通过气相沉积得到。由于高纯硅的生产依赖超纯三氯氢硅这一重要原料，这就对三氯氢硅纯度分析提出了很高的要求，必...
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