技术编号：17707345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制程，尤其涉及一种简化曝光操作的晶圆图案化制程。背景技术对于先进半导体制程中，由于设计法则(design rule)及临界尺寸(critical dimension)微缩，特别是动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)具有大面积阵列结构的集成电路组合，常为了微缩存储单元面积同时避开阻挡层或增加与底层硅接触面积(Sicon contact area)，而需要一些层别需要特别的斜角度(tilt)或弯曲(wiggle shape)的设...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。