技术编号:17718930
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池的技术领域,特别涉及一种InGaAs-graphene肖特基结太阳电池及其制备方法。背景技术石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料,具有高透光度,功函数可调,高的载流子迁移率等特点,在能源、材料学、微纳加工、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,被认为是一种未来革命性的材料。石墨烯具有金属的性质,功函数大于InGaAs,由于graphene和GaAs之间功函数的差异,当两者形成异质结时可以产生肖特基势垒,利用肖特基势...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。