技术编号:17746285
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体技术领域,特别是涉及一种半导体器件结构。背景技术传统的各种横向绝缘栅场效应晶体管(LIGBT)一般利用双极载流子导电形成的电导调制效应来降低导通损耗,通常其损耗要比LDMOS(Lateral Diffused MOSFET,横向扩散金属氧化物半导体)至少小30%以上。然而,LIGBT存在固有的缺陷限制其应用和集成,这主要是因为无论哪种结构的体硅LIGBT,衬底电流均很大,使得器件极易栓锁,不易关断,而且内部控制电路易受到衬底注入电流的影响,导致功能异常。SOI(Silicon...
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