技术编号:17750741
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于InAs/GaSb二类超晶格光探测器技术领域,具体涉及一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器。背景技术表面态是固体自由表面或固体间接口附近局部性的电子能态。由于固体表面原子结构不同于体内原子结构,使得表面能级既不同于固体体能带,也不同于孤立原子能级。半导体表面态通常位于基本禁带中或禁带边缘附近。当前InAs/GaSb光探测器表面态的费米能级均位于禁带中。常见InAs/GaSb探测器中的吸收区多为弱p型,其中少数载流子是电子,具有比空穴大的迁移率。但p型吸收区与上述...
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