技术编号:17750996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN基发光二极管领域,特别涉及一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法。背景技术GaN(氮化镓)基LED(LightEmitting Diode,发光二极管),也称GaN基LED芯片,一般包括外延片和在外延片上制备的电极。外延片通常包括:衬底、以及顺次层叠在衬底上的低温GaN层、N型GaN层、MQW(Multiple Quantum Well,多量子阱)层、电子阻挡层、和P型掺杂GaN层。当有电流注入GaN基LED时,N型GaN层等N型区的电子和P型掺杂GaN层等P型区的空穴进入MQ...
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