技术编号：17797530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶圆制备技术领域，特别涉及一种晶圆背面减薄金属化方法。背景技术通常，分立器件在晶圆正面工艺加工完毕之后，需要做背面减薄和背面金属化；背面减薄通常使用机械研磨的方式来实现；机械研磨这种方式不太可能把晶圆减薄到足够薄。因此本发明提出一种用电化学自动腐蚀的方式来实现晶圆的减薄。另外，足够薄的晶圆也不太便于背面金属化的制作；故我们提出一种新的方法来解决薄片的金属化制程。电化学腐蚀PN结自停止的工艺原理：硅在碱性溶液(KOH溶液、TMAH溶液等)中有晶向选择性和极化行为两大特征。在电化学腐蚀中，...
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