技术编号:17800501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及气相外延设备技术领域,尤其涉及一种传输装置。背景技术金属有机物化学气相沉积(MOCVD),是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺,用于生长外延晶片。它是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体,以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺,生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。通常MOCVD的生长条件是在低压(1000-10000pa)下进行,生长使用的载气(通...
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