技术编号:17849390
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体器件,特别是涉及一种低反向恢复电荷 SJ-VDMOS器件。背景技术垂直扩散场效应晶体管(VDMOS)具有开关速度快、输入阻抗高、频率特性好等优点被越来越多的应用于三相桥式电路、逆变器、智能功率模块和电子镇流器等领域当中。其中超结-垂直扩散场效应晶体管(SJ-VDMOS)因为漂移区采用P柱和N柱交替设置的结构,从而突破了传统的“硅极限”,使得器件同时具备极高的反向击穿电压和极低的正向导通电阻。采用SJ-VDMOS的体二极管作为续流二极管通常存在反向恢复电荷Qrr过大以及反向...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。