技术编号：17864775
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抛光加工技术领域，更具体地说是一种半导体晶片的光化学机械抛光加工方法及其加工装置。背景技术以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和金刚石为代表的第三代半导体晶体材料具有热导率好、击穿电场高、电子饱和速率大等优异的性能，与第二代半导体材料(如：砷化镓等)相比，更适合于用作高温、高频、高功率器件。当采用GaN、SiC等半导体晶元制造器件时，要求晶元必须具有较高的表面质量，包括：超平滑的表面无任何划痕、微裂纹和残余应力，以及无表面/亚表面损伤，否则会影响器件的最终性能。然而，GaN、SiC半导...
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