技术编号:17890155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明构思总体上涉及半导体装置,更具体地,涉及制造半导体装置的方法。背景技术近来,正在开发半导体装置以在低电压下高速执行,并且正在制造半导体以增大其集成度。因此,高度集成的半导体装置的高度缩小的图案具有精细的宽度,并且可以以小节距间隔开。已经引入了极紫外(EUV)光刻技术以形成具有精细的宽度的半导体装置。在使用EUV光刻来蚀刻半导体装置的工艺中的光致抗蚀剂厚度是提高生产率的重要因素之一。已经提出了各种技术以减小图案形成所需的光致抗蚀剂的厚度。发明内容本发明构思的一些实施例提供了制造半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。