技术编号:17890173
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术在半导体工艺制程的节点达到28nm及以下时,用高k介电层/金属栅结构代替传统的氮氧化硅或氧化硅介质层/多晶硅栅结构被视为解决传统的栅结构所面临的问题的主要的甚至是唯一的方法,传统的栅结构所面临的问题主要包括栅漏电、多晶硅损耗以及由薄栅氧化硅介质层所引起的硼穿透等。对于具有较高工艺节点的晶体管结构而言,所述高k-金属栅工艺通常为后栅极(gate-last)工艺,其典型的实施过程包括:首先,在半导体衬底上形成伪栅极结构,所述伪栅...
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