技术编号：17891022
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁电子器件领域，特别涉及调节金属间化合物的交换偏置场的方法。背景技术交换偏置效应源于材料不同磁相界面处的交换耦合作用，在此作用的驱使下，材料的磁滞回线中心偏离磁场零点的一种重要的磁性现象，偏移量被称为交换偏置场。交换偏置场是一种界面效应，其大小强烈依赖于界面自旋构型、各向异性、反铁磁自旋取向以及冷却场、界面粗糙度等因素都会对交换偏置场产生影响。铁磁/反铁磁体系的交换偏置场具有丰富的物理意义，并在巨磁电阻器件中具有重要的应用价值。交换偏置效应已是信息存储技术的重要基础，并且在诸多相关领域...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。