技术编号:17932715
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体模块,尤其是功率半导体模块。背景技术功率模块的关键问题之一是从其中包括的半导体器件,例如IGBT、MOSFET、二极管等中除热。通常,半导体器件的顶面用于与该器件的连接板形成电气连接,而底面用于通过与陶瓷基板等导热但电绝缘的材料附接来进行除热。传统设置中,功率模块底面具有冷却板,顶面具有电触点。为了进一步降低模块的热阻,半导体器件的顶面还可用于通过与铜块等导热材料附接来进行除热。JP 2008/186890 A文献中描述了这种模块的示例。在其中的实施例中,内表面彼此相对的两个散热...
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