技术编号:17934831
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体制造领域,尤其涉及一种三维存储器。背景技术为了克服二维存储器件的限制,业界已经研发并大规模生产了具有三维(3D)结构的存储器件,其通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在例如3D NAND闪存的三维存储器件中,存储阵列可包括具有垂直沟道结构的核心(core)区以及具有阶梯结构的阶梯区,多个存储阵列之间通过栅线隙隔开。垂直沟道结构形成于贯穿三维存储器件的堆叠层(stack)的沟道孔中。垂直沟道结构通过顶端的插塞电连接至位线,通过位线可以实现对存储阵列的读写操作。为...
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