技术编号:17944874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术随着半导体器件的关键尺寸的减小,在集成电路制造工艺中,逐渐采用鳍式场效应晶体管(FinFET)来替代平面器件。在FinFET中,用于栅极的间隔物很重要。间隔物关系到器件的漏电、驱动电流等性能。发明内容本申请的一个目的在于提供一种半导体装置及其制造方法,能够兼顾NMOS器件和PMOS器件的性能。根据本申请的一方面,提供了一种半导体装置的制造方法,包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底;在所述衬底上的层间电介质层,所述层间电介...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。