技术编号：17974894
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于电子动态调控高精度加工二硫化钼微型超级电容器的方法，属于微纳米制造领域。背景技术近年来，随着微型电子器件在可植入的生物传感器，微型机器人，微型机电系统(MEMS)，便携式和可穿戴个人电子设备中的飞速发展，其日益增强的功能、处理速度和可靠性对储能器件的微小型化展现出急迫的需求。微型电化学电容器，又称作微型超级电容，作为典型的储能器件被寄予厚望。金属1T相二硫化钼以其出色的电导率(可以和石墨烯相媲美)和优异的电容性能(理论值600F/g)，使得众多研究人员对其持续的研究。而平面布置...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。