技术编号:17975284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子器件和集成电路工艺技术领域,涉及一种形成场隔离的方法。背景技术完整的电路是由分离的器件通过特定的电学通路连接起来的,因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来,这些器件随后还要能够互连以形成所需要的特定的电路结构;如果隔离不好会造成漏电、击穿低、闩锁效应等;因此隔离技术是集成电路制造中一项关键技术。而现今有两种主要的隔离技术:局部氧化(LOCOS:Local Oxidation of Silicon)隔离技术与浅沟槽隔离(STI:Shallow Trench Isolation)隔...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。