技术编号：17976858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种阻变存储器的制备方法。背景技术阻变存储器(RRAM，Resistive Random Access Memory)作为一种新型非挥发性存储器，其具有结构简单、工作速度快、功耗低以及信息保持稳定等优点，是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。图1是现有的一种阻变存储器的结构示意图，所述阻变存储器包括由下而上依次层叠设置的第一金属层101、阻变功能层102以及第二金属层103，所述阻变存储器的工作原理为：在正向电场作用下，作为上电极的第二金属层103的阳极易氧化...
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