技术编号：17981485
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。领域本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室，且更特定而言，涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。现有技术的描述对广泛的各种应用处理半导体基板，包含集成器件与微型器件的生产。一种基板处理方法包含沉积材料(诸如介电性材料或半导体材料)于基板的上表面上。通过使处理气体平行于放置在支撑件上的基板的表面流动，并使处理气体热解离而将来自气体的材料沉积至基板表面上，可在横向流动腔室中沉积材料。然而，沉积在基板表面上的材料的厚度时常不均匀，且合金或掺杂成分时常不均匀，且因...
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