技术编号：18089960
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体加工设备。背景技术磁控溅射物理气相沉积是半导体制造领域中广泛采用的方法。现有的磁控溅射物理气相沉积设备如图1所示，具有接地的反应腔室1。基座8位于反应腔室1内，承载待加工工件10。卡环9放置于待加工工件10四周。靶材4密封反应腔室1。支撑组件2和靶材4形成密封腔体，其中充满去离子水3。工艺时，驱动装置6驱动磁控管5扫描靶材4表面，磁控管5会在靶材4的中心区域和边缘区域来回经过。激励源12施加偏压至靶材4，使其相对于反应腔室1为负压，激...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。