技术编号：18090437
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及具有该半导体器件的封装件。背景技术高容量、薄型化的存储器越来越受到市场青睐。参照图1所示的现有技术中芯片堆叠后的连接结构示意图；现有的芯片1堆叠后通过硅穿孔2和微凸起3连接，为了能有较佳的焊接效果和导电能力，需要加大微凸起3的尺寸，造成电路布局设置的限制，不能更好的实现高容量、薄型化。现有的存储器由于有效散热面积的无法增大，也不能更好的做到更高容量。而且封装结构由于受芯片1的长宽限制，不能更好的做到薄型化。因此，有必要研究一种半导体器件及具有...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。