技术编号:18090477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及集成电路技术领域,具体而言,涉及一种集成电路芯片。背景技术随着技术的发展和进步,集成电路的应用越来越广泛,在集成电路中往往包括大量的熔断器。目前,集成电路中使用的熔断器通常为栅极氧化物熔断器,栅极氧化物熔断器在熔断前为开路状态,在熔断时需要在导电栅和重掺杂层之间施加大的电压差,以熔断熔断器。在进行集成电路测试时,需要对熔断器进行测试,栅极氧化物熔断器熔断效率低,导致测试时间长,测试效率低。需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。