技术编号：18092239
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种横向有序GaN微米线阵列及其制备方法。背景技术由于异质外延的困难性，目前报道的大部分GaN微纳米线均是垂直衬底面的微纳米线阵列或杂乱无序的微纳米线网络，在面向实际应用问题上存在局限性。一方面，基于自组装生长和微刻蚀等技术制备的垂直GaN微纳米线(阵列)，在制作器件时尽管底部电接触可以采用导电衬底来解决，但是这种三维结构的微纳结构顶部无法提供承载薄膜电极的平面，这就要求制备器件时需要解决与传统的器件平面化的工艺流程不兼容的难题。而且，利用微刻蚀技术制备的纳...
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