技术编号：18103736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料技术领域，具体的涉及一种基于铂纳米簇/碳化硅纳米片的氢敏传感材料的制备方法。背景技术空天飞行器发动机、核反应堆安全壳、战场环境监控等关键领域，对能够在高温、高腐蚀、高辐射等极端条件下具有高灵敏度、快速稳定响应的气体传感器提出迫切需求。碳化硅（SiC）半导体因其突出的热力学、化学稳定性，以及优异的电学参数，成为能够满足极端环境下气体传感应用需要的良好材料。然而，纯SiC材料因其本征载流子浓度低，导致气体传感性能欠佳。通过在SiC材料表面构建贵金属二维纳米异质结，能够有效发挥气体传...
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