技术编号：18108385
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用了热固性树脂的膜形成用组合物。进一步详细地说，涉及在形成IC芯片等半导体制品、光学系制品等叠层体的工序中，在使用TSV(Through Silicon Via)技术等而加工的晶片的背面所形成的绝缘膜。背景技术近年来，随着便携电话、IC卡等电子设备的高功能化、小型化，要求半导体器件的高集成化、安装面积的小面积化、利用布线间距离的缩小来降低布线电阻。作为其方法，研究了将半导体元件间在纵向上堆起来的叠层结构。作为堆积结构制作方法的一例，可举出将形成有半导体元件的晶片使用临时粘接的粘接剂等...
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