技术编号:18123251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种排气装置。背景技术在半导体制造领域,尤其半导体结构的蚀刻制程中,现有技术中使用的半导体干式金属刻蚀机台通常使用等离子体采用化学和物理方式去除产品(例如,晶圆wafer)不需要的部分,达到刻蚀的目的。刻蚀过程使用的气体主要有Cl2/BCl3,并且在刻蚀过程中,刻蚀或处理腔室内有大量的生成物,还会有残留的光刻胶(PR)、铝(Al)、残余气体Cl2/BCl3等。腔室内生成物、残余气体和金属颗粒等极易挥发,其中的Cl2和BCl3为剧毒或极毒性气体,被...
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