技术编号：1814501
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种单晶硅生长用石英坩埚的两步制备法及装置，属半导体制造。背景技术生产单晶硅时，全部采用石英坩埚做盛装高温硅熔融体的容器.现有的石英坩埚在制造时均用电弧法生产，此法生产过程中能耗大，噪声高而质量不高。近二十年，不少人都在努力寻找新的坩埚生产方法，方案很多，但因存在各种问题，均未能最后成功。发明内容本发明的目的是找到一种单晶硅生长用石英坩埚的新制备方法及装置。此法生产坩埚时，过程中能耗低、噪声小，产品的质量好。本发明采用两步法生产此石英坩埚石英坩...
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