技术编号：18160620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微纳电子器件及半导体领域，具体涉及一种超分辨共振干涉光刻结构。背景技术随着微电子器件和半导体产业的快速发展，对获取高分辨力、高质量纳米图形的光刻技术要求越来越高。由于传统的光学成像和微细加工技术受到衍射极限的限制，利用表面等离子体波（Surface Plasmon Waves, SPWs）的超衍射特性将为获得亚波长、甚至更小纳米尺寸的结构提供了潜在的技术途径。SPWs的一种显著特点就是其波长比在同频率下的光波要小很多，同时具有近场增强效应的奇异光学特性，能有力地克服倏逝波弱场的缺点，得...
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