技术编号:18173425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。背景技术聚焦环在等离子体蚀刻装置的处理室内配置在载置台上的晶圆的周边部,用于使等离子体朝向晶圆W的表面聚敛。在等离子体处理中,聚焦环暴露在等离子体中而消耗。其结果是,在晶圆的边缘部,鞘层产生高度差,离子的照射角度偏斜,蚀刻形状发生倾斜(tilting)。另外,晶圆的边缘部的蚀刻率发生变动,晶圆W的面内的蚀刻率变得不均匀。因此,在聚焦环产生了规定以上的消耗时更换为新的聚焦环。然而,此时产生的更换时间成为导致生产率降低的一个主要原因。对此,例如专利文献1...
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