技术编号：18173558
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有沟槽栅极构造的半导体装置。背景技术例如，专利文献1的半导体装置包括：SiC基板；形成在SiC基板上的n型高电阻层；形成在n型高电阻层上的p井层；形成于p井层的表层部的n+发射极区域；贯通n+发射极区域并到达p井层的p+接触区域；从n+发射极区域的表面起贯通p井层并到达n型高电阻层的沟槽；形成于沟槽的内表面的栅极氧化膜；以及埋入于沟槽的多晶硅栅极电极。现有技术文献。专利文献。专利文献1：特开2008-294210号公报。发明内容用于解决课题的方案本发明的半导体装置包括：半导体层，具有...
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