技术编号:18174893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜传感器技术领域,具体涉及一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器及其制作方法。背景技术薄膜晶体管是在绝缘衬底材料上采用各种沉积方法沉积若干层薄膜,并通过刻蚀、光刻、掩模等技术制作而成,薄膜晶体管的结构和传统的MOS管结构类似,具有源极、漏极、栅极和沟道层。氧化物半导体被广泛认为是薄膜场效应晶体管最有希望的材料,成为当下显示技术的研究热点,同时它也被认为是柔性显示技术、柔性可穿戴电子技术以及新型传感技术发展中的一种重要材料。非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)具有较大的迁移率、优良的均...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。