技术编号:18201925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2018年1月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0002321的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。技术领域本发明的各种实施例总体而言涉及一种半导体器件。具体地,实施例涉及一种半导体存储器件。背景技术通常,诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器件可以包括多个存储单元阵列。存储单元阵列可以包括用于储存数据的存储单元。可以通过控制字线和位线来访问存储单元。随着半导体存储器件的集成度变得更高,可能需要提供具有更大的数据储存容量和更小尺寸的半导体存储器件。...
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