技术编号：18354978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路制备技术领域，特别是涉及一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法。背景技术化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段。CMP属于化学作用和机械作用相结合的技术，其过程相当复杂，影响因素很多。随着超大规模集成电路的不断发展，化学机械抛光，特别是双面化学机械抛光开始应用于线宽0.09-0.13um工艺的300mm硅片的加工，实现去除其由于前道加工而残留的微缺陷及表面损伤，并使表面可以实现较好平坦度...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。